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(图解)集成电路RF噪声抑制能力测量技术

文章来源:本站原创 作者:佚名


该文章讲述了(图解)集成电路RF噪声抑制能力测量技术.

  本文描述了一种通用的集成电路RF噪声抑制能力测量技术。RF抑制能力测试将电路板

置于可控制的RF信号电平下,该RF电平代表电路工作时可能受到的干扰强度。这样就产生了一个标准化、结构化的测试方法,使用这种方法能够得到在质量分析中可重复的有用结果。这样的测试结果有助于IC选型,从而获得最能够抵抗RF噪声的电路。

  可以将被测件(DUT)靠近正在工作的蜂窝电话,以测试其RF敏感度,但是,为了得到一个精确的、具有可重复性的试验结果,需要采用一个固定的测量方法,在可重复的RF场内测试DUT。解决方案是采用RF测试电波暗室,提供一个可精确控制的RF场,其相当于典型移动电话所产生的RF场。

  下面,我们对Maxim的一款双运放(MAX4232)和一款竞争产品(X)进行RF抑制能力比较测试。

  

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  图1:双运放的RF噪声抑制能力测量电路(online)

  RF抑制测试电路(图1)给出了连到待测双运放的电路板连接,每个运算放大器被配置成交流放大器,没有交流输入时,输出设置在1.5V直流电平(VCC = 3V)。反相输入通过1.5"环线(模拟输入端的PC引线)短路至地,该环路用来模拟实际引线的的效应,实际引线在工作频率下会作为天线,收集和解调RF信号。通过在输出端连接一个电压表,测量和量化运算放大器的RF噪声抑制能力。

  

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图2:RF噪声抑制能力测量装置

 

 

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