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【电子常识】功率MOSFET的种类内容介绍

文章来源:本站原创 作者:佚名


该文章讲述了【电子常识】功率MOSFET的种类内容介绍.

功率MOSFET的种类内容讲解:

按导电沟道可分为P沟道和N沟道耗尽型——当栅极电压为零时漏源极之间就存在导电沟道增强型——对于N(P)沟道器件,栅极电压大于(小于)零时才存在导电沟道功率MOSFET主要是N沟道增强型

 

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MOSFET 的结构图及电路符号

(a) N沟道增强型结构图 (b) N沟道增强型符号 (c) P沟道增强型符号N沟道增强型P-MOSFET的基本工作特性截止:漏源极间加正电压偏置,栅源极间电压为零(UDS>0,UGS=0)导电:在栅源极间加正电压UGS当UGS>UT(开启电压或阈值电压,典型值2~4V)时,漏极和源极导电

2. P-MOSFET的静态工作特性

1)输出特性

P-MOSFET的静态工作特性如图所示,漏极伏安特性又称输出特性,可以分为三个区:可变电阻区Ⅰ,饱和区Ⅱ,击穿区Ⅲ。电力电子电路中P-MOSFET工作在开关状态。P-MOSFET漏源极之间有寄生二极管,漏源极间加反向电压时器件导通。P-MOSFET的通态电阻具有正温度系数,对器件并联时的均流有利。

 

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P-MOSFET静态工作特性

(a)漏极伏安特性 (b)转移特性

2)转移特性

漏极电流ID和栅源间电压UGS的关系称为MOSFET的转移特性ID较大时,ID与UGS的关系近似线性,曲线的斜率定义为跨导Gfs图中所示的UGS(th)为开启电压,只有 时才会出现导电沟道,产生漏极电流iD。

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