随着数字电路向高集成度、
△I噪声的产生过程及其基本特点表明[1,2]：△I噪声是由数字电路的电路结构和工作过程决定的，恰当的电路设计只能在一定程度上减小（而不可能消除）△I噪声。△I噪声是数字电路固有的。数字电路中不同单元产生的△I噪声会发生叠加，电路的规模越大，叠加出现的可能性越大，造成的电流尖峰脉冲越强；△I噪声是宽带噪声源，频谱宽度主要由电路的速度决定，速度越高，频谱范围越宽；△I噪声同时产生传导骚扰和辐射骚扰，电路的速度越高，辐射发射越强。
本文在△I噪声的产生过程及其基本特点的基础上，研究△I噪声的主要危害。
1电源电压波动
1.1寄生电阻引起的电源电压波动
数字IC内部和数字系统中都有电源分配网络。电源分配网络的导线都有寄生电阻。电源电流尖峰脉冲（△I噪声）通过电源分配网络时，会产生欧姆电压降。从而引起电源电压波动。
对数字IC内部的电源分配网络，以目前流行的“Vanilla” 0.25μm CMOS工艺为例，考虑一条长2cm的电源线（VDD）或地线（IC内部互连线），其上每1μm宽度的电流为1mA。这一电流密度接近于一条铝线所能承受电流的最大值，原因是电迁移（electronmigration）的影响[3]。该导线（1μm宽度）的电阻为1kΩ。一个1mA/μm的电流将导致1V的电压降。这一电源电压波动将降低噪声容限，并使电路各点的逻辑电平与离开电源端的距离有关。
如图1所示，把一个离电源引线和地引线都很远的反相器连接到一个接近电源的器件上。由于电源地线上的电压降IR（欧姆电压降）引起的逻辑电平差可能使晶体管TN部分导通，可能引起一个预充电的节点X意外放电。如果连接的门是静态的，则有可能引起静态功耗。
总之，来自片上逻辑电路和存储器及输入/输出（I/O）引线上的电流脉冲会造成电源分配网络上产生电压降，这是片上电源噪声的主要来源。除了造成可靠性降低的风险外，电源网络的欧姆电压降也会影响系统的性能，因为电源电压的一个很小的下降都可能造成延时的明显增加。
无论是数字IC内部的电源分配网络的导线（目前多用铝），还是数字系统中的电源分配网络的导线（一般用铜），都存在趋肤效应（skin effect）。趋肤效应使导线的有效导电截面积随信号频率的升高而减小，使导线的电阻随信号频率的升高而增大（
）[4,5]。
由于△I噪声是宽带噪声源，所以趋肤效应会使电源分配导线的电阻显著变大（相对于直流电阻），进而使欧姆电压降显著变大。
