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文章导读:本文章收集了电子信息、通信、自动化专业的一些面试题目,希望对大家有所帮助

 模拟电路

1、 基尔霍夫定理的内容是什么?(仕兰微电子)
基尔霍夫电流定律是一个

电荷守恒定律,即在一个电路中流入一个节点的电荷与流出同一个节点的电荷相等.
基尔霍夫电压定律是一个能量守恒定律,即在一个回路中回路电压之和为零.
2、平板电容公式(C=εS/4πkd)。(未知)
3、最基本的如三极管曲线特性。(未知)
4、描述反馈电路的概念,列举他们的应用。(仕兰微电子)
5、负反馈种类(电压并联反馈,电流串联反馈,电压串联反馈和电流并联反馈);负反馈的优点(降低放大器的增益灵敏度,改变输入电阻和输出电阻,改善放大器的线性和非线性失真,有效地扩展放大器的通频带,自动调节作用)(未知)
6、放大电路的频率补偿的目的是什么,有哪些方法?(仕兰微电子)
7、频率响应,如:怎么才算是稳定的,如何改变频响曲线的几个方法。(未知)
8、给出一个查分运放,如何相位补偿,并画补偿后的波特图。(凹凸)
9、基本放大电路种类(电压放大器,电流放大器,互导放大器和互阻放大器),优缺 点,特别是广泛采用差分结构的原因。(未知)
10、给出一差分电路,告诉其输出电压Y+和Y-,求共模分量和差模分量。(未知)
11、画差放的两个输入管。(凹凸)
12、画出由运放构成加法、减法、微分、积分运算的电路原理图。并画出一个晶体管级的运放电路。(仕兰微电子)
13、用运算放大器组成一个10倍的放大器。(未知)
14、给出一个简单电路,让你分析输出电压的特性(就是个积分电路),并求输出端某点的 rise/fall时间。(Infineon笔试试题) 15、电阻R和电容C串联,输入电压为R和C之间的电压,输出电压分别为C上电压和R上电 压,要求制这两种电路输入电压的频谱,判断这两种电路何为高通滤波器,何为低通滤 波器 。当RC<< period - setup ? hold
16、时钟周期为T,触发器D1的建立时间最大为T1max,最小为T1min。组合逻辑电路最大延
迟为T2max,最小为T2min。问,触发器D2的建立时间T3和保持时间应满足什么条件。(华为

17、给出某个一般时序电路的图,有Tsetup,Tdelay,Tck->q,还有 clock的delay,写出决定 最大时钟的因素,同时给出表达式。(威盛VIA 2003.11.06 上海笔试试题)
18、说说静态、动态时序模拟的优缺点。(威盛VIA 2003.11.06 上海笔试试题)
19、一个四级的Mux,其中第二级信号为关键信号 如何改善timing。(威盛VIA2003.11.06 上海笔试试题)
20、给出一个门级的图,又给了各个门的传输延时,问关键路径是什么,还问给出输入,使得输出依赖于关键路径。(未知) 21、逻辑方面数字电路的卡诺图化简,时序(同步异步差异),触发器有几种(区别,优 点),全加器等等。(未知)
22、卡诺图写出逻辑表达使。(威盛VIA 2003.11.06 上海笔试试题)
23、化简F(A,B,C,D)= m(1,3,4,5,10,11,12,13,14,15)的和。(威盛)
24、please show the CMOS inverter schmatic,layout and its cross sectionwith P- well process.Plot its transfer curve (Vout-Vin) And also explain the operation region of PMOS and NMOS for each segment of the transfer curve? (威盛笔试题c ircuit design-beijing-03.11.09)
25、To design a CMOS invertor with balance rise and fall time,please define th e ration of channel width of PMOS and NMOS and explain?
26、为什么一个标准的倒相器中P管的宽长比要比N管的宽长比大?(仕兰微电子)
27、用mos管搭出一个二输入与非门。(扬智电子笔试)
28、please draw the transistor level schematic of a cmos 2 input AND gate and explain which input has faster response for output rising edge.(less delay tim e)。(威盛笔试题circuit design-beijing-03.11.09)
29、画出NOT,NAND,NOR的符号,真值表,还有transistor level的电路。(Infineon笔试 )
30、画出CMOS的图,画出tow-to-one mux gate。(威盛VIA 2003.11.06 上海笔试试题)
31、用一个二选一mux和一个inv实现异或。(飞利浦-大唐笔试)
32、画出Y=A*B+C的cmos电路图。(科广试题)
33、用逻辑们和cmos电路实现ab+cd。(飞利浦-大唐笔试)
34、画出CMOS电路的晶体管级电路图,实现Y=A*B+C(D+E)。(仕兰微电子)
35、利用4选1实现F(x,y,z)=xz+yz’。(未知)
36、给一个表达式f=xxxx+xxxx+xxxxx+xxxx用最少数量的与非门实现(实际上就是化简) 。
37、给出一个简单的由多个NOT,NAND,NOR组成的原理图,根据输入波形画出各点波形。( Infineon笔试)
38、为了实现逻辑(A XOR B)OR (C AND D),请选用以下逻辑中的一种,并说明为什么 ?1)INV 2)AND 3)OR 4)NAND 5)NOR 6)XOR 答案:NAND(未知)
39、用与非门等设计全加法器。(华为)
40、给出两个门电路让你分析异同。(华为)
41、用简单电路实现,当A为输入时,输出B波形为…(仕兰微电子)
42、A,B,C,D,E进行投票,多数服从少数,输出是F(也就是如果A,B,C,D,E中1的个数比0 多,那么F输出为1,否则F为0),用与非门实现,输入数目没有限制。(未知)
43、用波形表示D触发器的功能。(扬智电子笔试)
44、用传输门和倒向器搭一个边沿触发器。(扬智电子笔试)
45、用逻辑们画出D触发器。(威盛VIA 2003.11.06 上海笔试试题)
46、画出DFF的结构图,用verilog实现之。(威盛)
47、画出一种CMOS的D锁存器的电路图和版图。(未知)
48、D触发器和D锁存器的区别。(新太硬件面试)
49、简述latch和filp-flop的异同。(未知)
50、LATCH和DFF的概念和区别。(未知)

51、latch与register的区别,为什么现在多用register.行为级描述中latch如何产生的。南山之桥)
52、用D触发器做个二分颦的电路.又问什么是状态图。(华为)
53、请画出用D触发器实现2倍分频的逻辑电路?(汉王笔试)
54、怎样用D触发器、与或非门组成二分频电路?(东信笔试)
55、How many flip-flop circuits are needed to divide by 16? (Intel) 16分频?
56、用filp-flop和logic-gate设计一个1位加法器,输入carryin和current-stage,输出 carryout和next-stage. (未知)
57、用D触发器做个4进制的计数。(华为)
58、实现N位Johnson Counter,N=5。(南山之桥)
59、用你熟悉的设计方式设计一个可预置初值的7进制循环计数器,15进制的呢?(仕兰微 电子)
60、数字电路设计当然必问Verilog/VHDL,如设计计数器。(未知)
61、BLOCKING NONBLOCKING 赋值的区别。(南山之桥)
62、写异步D触发器的verilog module。(扬智电子笔试)
module dff8(clk , reset, d, q);
input clk;
input reset;
input [7:0] d;
output [7:0] q;
reg [7:0] q;
always @ (posedge clk or posedge reset)
if(reset)
q <= 0;
else
q <= d;
endmodule
63、用D触发器实现2倍分频的Verilog描述? (汉王笔试)
module divide2( clk , clk_o, reset);
input clk , reset;
output clk_o;
wire in;
reg out ;
always @ ( posedge clk or posedge reset)
if ( reset)
out <= 0;
else
out <= in;
assign in = ~out;
assign clk_o = out;
endmodule
64、可编程逻辑器件在现代电子设计中越来越重要,请问:a) 你所知道的可编程逻辑器件
有哪些? b) 试用VHDL或VERILOG、ABLE描述8位D触发器逻辑。(汉王笔试)
PAL,PLD,CPLD,FPGA。
module dff8(clk , reset, d, q);
input clk;
input reset;
input d;
output q;
reg q;
always @ (posedge clk or posedge reset)
if(reset)
q <= 0;
else
q <= d;
endmodule
65、请用HDL描述四位的全加法器、5分频电路。(仕兰微电子)
66、用VERILOG或VHDL写一段代码,实现10进制计数器。(未知)
67、用VERILOG或VHDL写一段代码,实现消除一个glitch。(未知)
68、一个状态机的题目用verilog实现(不过这个状态机画的实在比较差,很容易误解的)
。(威盛VIA 2003.11.06 上海笔试试题)
69、描述一个交通信号灯的设计。(仕兰微电子)
70、画状态机,接受1,2,5分钱的卖报机,每份报纸5分钱。(扬智电子笔试)
71、设计一个自动售货机系统,卖soda水的,只能投进三种硬币,要正确的找回钱数。(
1)画出fsm(有限状态机);(2)用verilog编程,语法要符合fpga设计的要求。(未知

72、设计一个自动饮料售卖机,饮料10分钱,硬币有5分和10分两种,并考虑找零:(1)
画出fsm(有限状态机);(2)用verilog编程,语法要符合fpga设计的要求;(3)设计

工程中可使用的工具及设计大致过程。(未知)
73、画出可以检测10010串的状态图,并verilog实现之。(威盛)
74、用FSM实现101101的序列检测模块。(南山之桥)
a为输入端,b为输出端,如果a连续输入为1101则b输出为1,否则为0。例如a: 00011001
10110100100110
b: 0000000000100100000000
请画出state machine;请用RTL描述其state machine。(未知)
75、用verilog/vddl检测stream中的特定字符串(分状态用状态机写)。(飞利浦-大唐
笔试)
76、用verilog/vhdl写一个fifo控制器(包括空,满,半满信号)。(飞利浦-大唐笔试)

77、现有一用户需要一种集成电路产品,要求该产品能够实现如下功能:y=lnx,其中,x
为4位二进制整数输入信号。y为二进制小数输出,要求保留两位小数。电源电压为3~5v假
设公司接到该项目后,交由你来负责该产品的设计,试讨论该产品的设计全程。(仕兰微

电子)
78、sram,falsh memory,及dram的区别?(新太硬件面试)
79、给出单管DRAM的原理图(西电版《数字电子技术基础》作者杨颂华、冯毛官205页图9
-14b),问你有什么办法提高refresh time,总共有5个问题,记不起来了。(降低温度,
增大电容存储容量)(Infineon笔试)
80、Please draw schematic of a common SRAM cell with 6 transistors,point out w
hich nodes can store data and which node is word line control? (威盛笔试题cir
cuit design-beijing-03.11.09)
81、名词:sram,ssram,sdram
名词IRQ,BIOS,USB,VHDL,SDR
IRQ: Interrupt ReQuest
BIOS: Basic input Output System
USB: Universal Serial Bus
VHDL: VHIC Hardware Description Language
SDR: Single Data Rate
  压控振荡器的英文缩写(VCO)。
  动态随机存储器的英文缩写(DRAM)。
名词解释,无聊的外文缩写罢了,比如PCI、ECC、DDR、interrupt、pipeline IRQ,BIOS,
USB,VHDL,VLSI VCO(压控振荡器) RAM (动态随机存储器),FIR IIR DFT(离散傅立叶变换
)或者是中文的,比如:a.量化误差 b.直方图 c.白平衡
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